電學特性分析：首先使用參數(shù)分析儀對半導體器件進行電學特性測試，如IV曲線、CV曲線測試，初步判斷器件是否存在電學性能異常。
外觀檢查：通過光學顯微鏡對器件進行外觀檢查，觀察器件表面是否有裂紋、破損、異物等明顯的物理損傷。
聯(lián)合分析：將參數(shù)分析儀的電學測試結果與光學顯微鏡的圖像觀察相結合，可以更準確地定位故障區(qū)域。例如，如果在電學測試中發(fā)現(xiàn)某個區(qū)域的電流異常，而光學顯微鏡下觀察到該區(qū)域存在裂紋或破損，那么可以推斷這些物理損傷可能是導致電學性能異常的原因。
失效模式分析：通過電學測試和光學顯微鏡檢查確定失效模式，如開路、短路、參數(shù)漂移等。
進一步的微結構分析：對于電學性能異常但光學顯微鏡下未觀察到明顯物理損傷的器件，可以采用高分辨率的掃描電子顯微鏡（SEM）進行更深入的微結構分析，以發(fā)現(xiàn)可能的微觀缺陷。
故障點精確定位：在某些情況下，參數(shù)分析儀可以與微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）或激光掃描顯微鏡（LSM）等高級光學工具結合使用，以精確定位故障點。
數(shù)據關聯(lián)分析：光學顯微鏡可以提供宏觀層面的形貌信息，而參數(shù)分析儀提供電學特性數(shù)據，通過數(shù)據關聯(lián)分析，可以更全面地理解器件的失效機理。
